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推崇環保 日本正式開發TFT氧化物半導體

2010年02月09日 09:37   來源:中國數字視聽網   作者:karl   字體【

       用于液晶面板、有機EL面板以及電子紙等顯示面板驅動用途的氧化物半導體TFT的研發越來越活躍。其中,作為驅動有機EL面板的有力候補,氧化物半導體TFT更是備受期待。與原來采用非晶硅TFT相比,氧化物半導體TFT的載流子遷移率高達10cm2/Vs,是前者的10倍左右,這樣就便于提高有機EL面板的亮度。另外,氧化物TFT的特性不均較小,而且電流的時間變化也較少。

       因此,可輕松抑制有機EL面板的顯示不均現象,適于大面積化用途。另外,由于氧化物TFT可通過濺射法制造,因此導入時無需大幅改變現有的液晶面板生產線。鑒于上述優點,韓國LG顯示器(LG Display)、韓國三星電子(Samsung Electronics)以及臺灣友達光電(AU Optronics)等韓國和臺灣的大型面板廠商紛紛加大氧化物TFT的開發力度,日本廠商則是最近才開始大力開發。

       夏普在2009年12月舉行的顯示器技術國際學會“16th InternationalDisplay Workshops(IDW ’09)”上,公開了采用氧化物TFT的2.6英寸QVGA(320×240像素)液晶面板。氧化物半導體采用了IGZO(In-Ga-Zn-O)。

      凸版印刷的TFT采用了可進行涂布的氧化物半導體。由于采用了涂布工藝,有望降低制造成本。該公司試制出了將制造工序中的最高溫度降至270℃的氧化物TFT。與采用原來涂布工藝制造的氧化物TFT相比,其最高溫度“要低100℃以上”(凸版印刷)。凸版印刷的試制品是在玻璃底板上制作的,通過旋轉覆蓋(Spin Coat)對氧化物半導體進行涂布成膜。柵極絕緣膜以及源極等各個電極都可采用原來的制造工序。

      雖然比不上采用濺射法制造的產品,但凸版印刷的試制品實現了與普通非晶硅TFT同等程度的特性,遷移率超過0.5cm2/Vs,開關比超過105。特點是將電子紙和液晶面板的驅動納入考慮范圍。凸版印刷已經利用該試制品成功地驅動了美國E Ink生產的2英寸電子紙。

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(編輯:Karl)

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